據媒體報道，我國在太空成功驗證了首款國產碳化硅（SiC）功率器件，第三代半導體材料有望牽引我國航天電源升級換代。

功率器件是實現電能變換和控制的核心，被譽為電力電子系統的心臟，是最為基礎、最為廣泛應用的器件之一。隨著硅（Si）基功率器件的性能逼近極限，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，以禁帶寬度大、擊穿場強高、飽和電子速度快等優勢，可大幅提高空間電源的傳輸功率和能源轉換效率，簡化散熱設備，降低發射成本或增加裝載容量，功率-體積比提高近5倍，滿足空間電源系統高能效、小型化和輕量化需求。

據悉，中國科學院微電子研究所劉新宇、湯益丹團隊聯合空間應用工程與技術中心劉彥民團隊研制的碳化硅（SiC）載荷于2024年11月15日搭乘天舟八號貨運飛船飛向太空，開啟了空間軌道科學試驗之旅。通過一個多月的在軌加電試驗，SiC載荷測試數據正常，高壓400V SiC功率器件在軌試驗與應用驗證完成，在電源系統中靜態、動態參數符合預期。

天眼查專業版數據顯示，截至目前，我國現存半導體相關企業有33.8萬余家。從地域分布上看，廣東省、江蘇省和浙江省半導體相關企業數量位居前列，分別擁有11.9萬余家、4.5萬余家、1.9萬余家；從成立時間來看，超七成的相關企業成立于5年內，成立于1年以內的相關企業占比超20%。

此外，通過天眼風險和深度風險可以看出，涉及司法案件的半導體相關企業有1萬余家，占企業總數的3.18%。