摘要:近日,南京百識電子科技有限公司(以下簡稱“百識電子”)完成A+輪融資,包括GRC富華資本在內的多家知名機構參投。
近日,南京百識電子科技有限公司(以下簡稱“百識電子”)完成A+輪融資,包括GRC富華資本在內的多家知名機構參投。
百識電子成立于2019年,由多名擁有數十年第三代半導體外延經驗的資深專家聯合創辦,核心團隊具備外延工藝開發、良率保障、設備改良等全棧能力。公司首條產線位于南京市浦口區,于2021年投產,當前年產能達5萬片,客戶多為全球巨頭及國內龍頭。公司計劃近期在長三角落地二期產線,產能規劃28萬片/年,打造全國最領先的車規級三代半外延片制造工廠。
盡管碳化硅擴產如火如荼,但國內碳化硅晶圓有效產能不足100萬片,尚存產能缺口。隨著主機廠加快高壓快充平臺上車,國內襯底、設備等產業鏈上端工藝自主性更趨成熟,第三代半導體產業已進入規模化拐點。
百識電子憑借團隊雄厚量產經驗及高質量制造能力,提供六英寸及八英寸外延片, 以滿足新時代功率器件市場需求。除標準規格外延片,百識電子可針對特殊應用市場需求,提供客制化規格外延服務及器件開發所需的關鍵制程。
碳化硅外延層的厚度、濃度與表面缺陷的數量會影響器件電氣特性,導致碳化硅器件良率有所損失。目前一般外延技術只能控制表面尺寸較大 (如三角缺陷、胡蘿卜缺陷,直線缺陷與彗星缺陷等)的致命(killer)缺陷,密度大約1/cm2,表面微坑洞(micro-pits)的數量高達每片5,000顆以上。百識以獨有的外延技術可將表面缺陷數量有效控制在密度小于0.4/cm2以下,表面微坑洞(micro-pits)< 1,000個/wafer,同時具備有較低的致命缺陷與表面微坑洞的優勢。2023年百識外延工藝和技術水平持續精進,3,300V碳化硅外延片實現高良率高質量生產,產品厚度均勻性1.18%,濃度均勻性1.32%,并穩定出貨全球軌交頭部客戶。超高耐壓(6,500V及以上)外延技術持續突破,缺陷控制已達國際先進水平。
百識電子董事長李屏表示百識電子非常感謝大家的支持。目前南京廠量產順利,二期產線也在積極落地中。我們仍會努力提升產品品質,拓展海內外市場,憑借誠信、專業、紀律和質量的核心文化,百識電子致力于成為國際一流的寬禁帶材料外延代工服務商。
百識電子CEO宣融表示第一代半導體和第二代半導體形成了深度專業化分工的格局,行業效率得到大幅提升。隨著第三代半導體產業逐步成熟,專業化分工亦是大勢所趨。相對產業鏈其他環節玩家擁擠,外延環節國內規模企業較少。百識具備業內第一批專注三代半外延研發及生產的團隊,并擁有海內外尖端客戶扎實的信任基礎。非常感謝新老股東對于百識的支持,我們非常有信心在行業發展的浪潮下持續保持領先地位。
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