近日，鈦信資本完成對英諾賽科（蘇州）科技有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）6.5億元的D輪投資。本輪融資由鈦信資本領投，毅達資本、海通創(chuàng)新、中比基金、賽富高鵬、招證投資等機構跟投，投資總額近30億元。鈦信資本作為本輪領投方，本輪出資占比超過20%，也是投資金額最大的投資人。

英諾賽科于2015年成立，是第三代半導體硅基氮化鎵領域全球龍頭，也是全球唯一實現(xiàn)同時量產氮化鎵高、低壓芯片的IDM企業(yè)。英諾賽科技術處全球第一梯隊，產能國內第一，消費級市場中快充產品已領先于市場快速放量，未來數(shù)據(jù)中心、5G基站、新能源汽車等市場將持續(xù)接力構成公司增長曲線。

氮化鎵市場爆發(fā)即將到來

近年來，半導體行業(yè)發(fā)展迅速，帶動了一系列產業(yè)的經濟增長。隨著基于硅技術接近發(fā)展極限，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等為代表的第三代半導體，正在成為引領下一代信息技術的浪潮，也是全球各國爭相角逐的市場。

氮化鎵作為第三代半導體材料，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢，且能量轉化率高、體積小；憑借優(yōu)異的物理特性，氮化鎵天然適合制作高壓、高頻、高功率的半導體器件，相比于硅器件，可降低50%以上的能量損失，減少75%以上的裝備體積。

氮化鎵的各項性能優(yōu)勢，可滿足節(jié)能、減排、智能制造等全球戰(zhàn)略需求，給產業(yè)應用帶來巨大系統(tǒng)優(yōu)勢，應用前景非常廣闊。隨規(guī)模化生產技術成熟，氮化鎵將成為未來功率半導體的主流，未來在消費電子、數(shù)據(jù)中心、5G基站、新能源車等多個領域，氮化鎵需求將迎來爆發(fā)式增長。

英諾賽科躋身全球前三

英諾賽科是躋身全球氮化鎵產業(yè)第一梯隊的國產半導體企業(yè)代表，是硅基氮化鎵領域全球龍頭。英諾賽科通過自主研發(fā)，攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長氮化鎵單晶材料的世界級難題，首次實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵外延與芯片的大規(guī)模量產，同時填補了國內在該領域的空白。在非常短的時間內，英諾賽科打破了美國技術壟斷，實現(xiàn)了國產氮化鎵芯片的崛起。根據(jù)Trendforce 2021年數(shù)據(jù)，英諾賽科氮化鎵功率產品全球市場占有率一舉攀升至20%，躍升為全球第三，排名僅次于納微、PI。

目前英諾賽科是全球唯一實現(xiàn)同時量產氮化鎵高、低壓芯片的半導體企業(yè)，高壓快充產品出貨已達數(shù)千萬顆，低壓產品成功取代了某電源管理技術世界領先供應商產品，成為中國領先的激光雷達企業(yè)禾賽科技的供應商。此外，英諾賽科還與小米、OPPO、比亞迪、安森美、MPS等國內外廠商開展應用開發(fā)合作。

在國家戰(zhàn)略層面，英諾賽科已被國家四部委列入重點支持的0.25微米以下的集成電路企業(yè)，也是國內第一個通過國家發(fā)改委窗口指導的第三代半導體項目。

憑借領先市場的技術儲備、產能、客戶，以及更具市場需求響應能力的IDM模式，英諾賽科必將在全球氮化鎵應用爆發(fā)的浪潮中大放異彩。

鈦信資本助力全面發(fā)展

本輪鈦信資本為領投方，對英諾賽科的投資額達6.5億元，本輪出資占比超過20%。作為以硬科技投資為主戰(zhàn)場的投資機構，鈦信資本對英諾賽科的重度投資足以體現(xiàn)對其成長潛力的高度認可。鈦信資本創(chuàng)始人高毅輝表示：

“氮化鎵作為一種新型半導體材料，是一個嶄新的領域，也是為數(shù)不多與國外差距不大、我國最有可能實現(xiàn)彎道超車的領域之一，市場前景非常廣闊。

英諾賽科是氮化鎵領域全球龍頭，在團隊、技術、產能、客戶等方面都已達到領先的位置。英諾賽科由原美國宇航局（NASA）科學家駱薇薇博士帶隊，聚集了來自全球知名半導體企業(yè)的氮化鎵領域全球頂尖人才，具備豐富的研發(fā)、建廠、制造（工藝）和運營經驗。公司成立不久就建成中國首條8英寸硅基氮化鎵生產線，目前已經開始實現(xiàn)大規(guī)模量產，產能國內第一，還在持續(xù)快速爬升，公司客戶開拓進展也遠領先于競爭對手。隨著氮化鎵應用市場迎來快速增長，我們非常看好公司的成長潛力，將以充足的支持助力其全面發(fā)展。”